描述
電壓范圍
輸出功率(THD+N=10%)
輸出功率(THD+N=1%)
通道數(shù)
控制端
封裝形式
這種功率MOSFET是使用Msemitek先進的TRENCH生產(chǎn)的技術(shù)
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PDFN8(5*6)
SCU3N90C/SCD3N90C是一種高電壓功率MOSFET
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TO251 / TO252-2
這些N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管采用Silicore先進的VDMOS技術(shù)生產(chǎn),
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TO251 / TO252-2
公眾號二維碼
