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描述

電壓范圍

輸出功率(THD+N=10%)

輸出功率(THD+N=1%)

通道數(shù)

控制端

封裝形式

這種功率MOSFET是使用Msemitek先進(jìn)的TRENCH生產(chǎn)的技術(shù)

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PDFN8(5*6)

SCU3N90C/SCD3N90C是一種高電壓功率MOSFET

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TO251 / TO252-2

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用Silicore先進(jìn)的VDMOS技術(shù)生產(chǎn),

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TO251 / TO252-2

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