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SCN9N20L

所屬分類：

MOS管

關鍵詞：

描述

這種功率MOSFET是使用Msemitek先進的TRENCH生產的技術

電壓范圍

~

輸出功率（THD+N=10%）

~

輸出功率（THD+N=1%）

~

通道數

~

控制端

~

封裝形式

PDFN8(5*6)

描述：

這種功率MOSFET是使用Msemitek先進的TRENCH生產的技術，這項先進技術經過特別定制，可最大限度地減少傳導損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。

 

特點：

  • N通道：200V 9A
  • RDS（開啟）典型值=220mΩ@VGS=10V
  • 極低導通電阻RDS（On）
  • 低鉻
  • 快速切換
  • 100%雪崩測試
  • 改進的dv/dt能力

 

應用：

  • PWM應用
  • 負載開關
  • 電源管理

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